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1 Calculated properties of point defects in Be-doped GaN [期刊论文]

来源：PHYSICAL REVIEW B , 2003

作者:

关键词:LOCAL VIBRATIONAL-MODES;YELLOW LUMINESCENCE;...

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2 Nature of the 2.8-eV photoluminescence band in Si-doped GaN [期刊论文]

来源：PHYSICAL REVIEW B , 2000

作者:

关键词:YELLOW LUMINESCENCE;EPITAXIAL-FILMS;...

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3 Two charge states of the C(N)( )acceptor in GaN: Evidence from photoluminescence [期刊论文]

来源：PHYSICAL REVIEW B , 2018

作者:

关键词:YELLOW LUMINESCENCE;GALLIUM VACANCIES;...

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